GaN晶圓可使LED發(fā)光效率提高1倍

    日本礙子2012年4月25日發(fā)布消息稱(chēng)，開(kāi)發(fā)出了可將LED光源的發(fā)光效率提高1倍的GaN（氮化鎵）晶圓。該晶圓在生長(cháng)GaN單結晶體時(shí)采用自主開(kāi)發(fā)的液相生長(cháng)法，在整個(gè)晶圓表面實(shí)現低缺陷密度的同時(shí)獲得了無(wú)色透明特性。

　　日本礙子在其他研究機構的協(xié)助下，在開(kāi)發(fā)出來(lái)的GaN晶圓上制造了LED元件，并進(jìn)行了發(fā)光性能試驗，結果表明，該衡陽(yáng)LED亮化工程項目LED元件的內部量子效率達到約90％（注入電流200mA時(shí)）。據日本礙子介紹，市售LED元件的內部量子效率為30～40％（注入電流200mA時(shí)），照此計算，利用新開(kāi)發(fā)的晶圓制造的LED元件，其內部量子效率提高了1倍以上，這樣便可使發(fā)光效率達到市售LED光源的2倍（200lm/W），將耗電量降低50％并抑制發(fā)熱，從而實(shí)現照明器具的長(cháng)壽命化及小型化。

    日本礙子2012年度設立了“晶圓項目”，以促使晶圓相關(guān)產(chǎn)品實(shí)現商品化。今后還預定于2012年內開(kāi)始樣品供貨世界首款以液相生長(cháng)法制造的直徑4英寸的GaN晶圓。該公司將瞄準以混合動(dòng)力車(chē)及電動(dòng)汽車(chē)的功率器件以及無(wú)線(xiàn)通信基站的功率放大器為對象的晶圓市場(chǎng)，為進(jìn)一步降低缺陷密度并加大口徑（直徑6英寸）繼續推進(jìn)開(kāi)發(fā)。

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